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元件参数资料
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参数目录50524
> 1N6012B-TP DIODE ZENER 500MW 33V DO-35
型号:
1N6012B-TP
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Micro Commercial Co
描述:
DIODE ZENER 500MW 33V DO-35
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
1N6012B-TP PDF
标准包装
10,000
系列
-
电压 - 齐纳(标称)(Vz)
33V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)
1.5V @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电
100nA @ 25V
容差
±5%
功率 - 最大
500mW
阻抗(最大)(Zzt)
88 欧姆
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH,DO-35,轴向
供应商设备封装
DO-35
包装
带卷 (TR)
工作温度
-65°C ~ 200°C
其它名称
1N6012B-TPMSTR
查看1N6012B-TP代理商
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